场效应管|场效应管参数|高想电子代理直销场效应管

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IRF540 ?使用沟渠工艺封装的N通道增强型场效应功率晶体管 应用： DC到DC转换器 开关电源 电视及电脑显示器电源 IRF540中提供的是SOT78(TO220AB)常规铅的包裹。 IRF540S中提供的是SOT404(D PAK)表面安装的包裹本系列MOSFET实现与STMicroelectronicsunique STripFET过程特别一直以鼓励减少输入电容和门。它istherefore合适作为先进高效的主开关，高频隔离直流-直流转换器forTelecom和计算机应用程序。它也是intendedfor任何低门驱动应用程序的需求。
是美国国际整流器公司(International Rectifier Company )利用自身*有的高压集成电路及无门锁C M O S 技 于19 90 年前后开发并投放市场的大功率M O S F E T 和IG B T **驱动集成电路， 已在电源变换、马达调速等功率驱动领域中获得了广泛的应用。该电路芯片体积小(DIP1 4 ) ，集成度高(可驱动同一桥臂两路) 场效应管， 响应快( ton /tof= 120/94 n s ) 场效应管应放大电路， 偏值电压高(< 600 V ) ， 驱动能力强， 内设欠压封锁， 而且其成本低 场效应管参数， 易于调试， 并设有外部保护封锁端口。尤其是上管驱动采用外部自举电容上电， 使得驱动电源路数目较其他IC 驱动大大减小。对于发射机的4 管构成的全桥电路 P沟道场效应管，采用2 片IR 2110 驱动2 个桥臂， 仅需要一路10 一20 V 电源， 从而大大减小了控制变压器的体积和电源数目， 降低了产品成本， 提高了系统的可靠性。

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