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IR2103(S)是高电压、高功率MOSFET和速度IGBT驱动依赖高和低侧输出引用频道。*CMOS技术专有HVIC和门闩使加固的整体结构。输入的逻辑与标准CMOS兼容或LSTTL输出，3.3 v逻辑。输出驱动特性高脉冲电流缓冲阶段为较低司机cross-conduction而设计的。流动通道可用于驱动一个n沟道功率MOSFET和IGBT吗高压侧配置运营600伏特。流动通道为引导操作而设计的完全操作+ 600 v宽容负瞬态电压dV / dt*门驱动供应范围从10到20 v欠压锁定3.3 v 供应IRF2130电源IC，5 v和15 v逻辑兼容Cross-conduction预防逻辑匹配渠道的传播延迟内部设置停歇时间高压侧与欣阶段输入输出低端林，输出与输入
是美国国际整流器公司(International Rectifier Company )利用自身*有的高压集成电路及无门锁C M O S 技 于19 90 年前后开发并投放市场的大功率M O S F E T 和IG B T **驱动集成电路 进口IRF4229电源IC， 已在电源变换、马达调速等功率驱动领域中获得了广泛的应用。该电路芯片体积小(DIP1 4 ) ，集成度高(可驱动同一桥臂两路) ， 响应快( ton /tof= 120/94 n s ) 电源IC， 偏值电压高(< 600 V ) ， 驱动能力强， 内设欠压封锁， 而且其成本低， 易于调试， 并设有外部保护封锁端口。尤其是上管驱动采用外部自举电容上电， 使得驱动电源路数目较其他IC 驱动大大减小。对于发射机的4 管构成的全桥电路，采用2 片IR 2110 驱动2 个桥臂， 仅需要一路10 一20 V 电源 原装IRS2453电源IC， 从而大大减小了控制变压器的体积和电源数目， 降低了产品成本， 提高了系统的可靠性。
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