场效应管|P沟道场效应管|高想电子代理直销场效应管

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IRF540 ?使用沟渠工艺封装的N通道增强型场效应功率晶体管 应用： DC到DC转换器 开关电源 电视及电脑显示器电源 IRF540中提供的是SOT78(TO220AB)常规铅的包裹。 IRF540S中提供的是SOT404(D PAK)表面安装的包裹本系列MOSFET实现与STMicroelectronicsunique STripFET过程特别一直以鼓励减少输入电容和门。它istherefore合适作为先进高效的主开关，高频隔离直流-直流转换器forTelecom和计算机应用程序。它也是intendedfor任何低门驱动应用程序的需求。

智能同步整流控制IC-IR1166/7A-B则是一款能从电源变压器二次侧检测信号作智能式同步整流的控制IC P沟道场效应管，它不仅不需要从初级侧传输信号，而且能适应多种电路拓朴 场效应管应放大电路，适应定频PWM及变频PWM，因此它的问世及应用是开关电源技朮的又一大进步。适应反激变换器的DCM，CRM及CCM三种模式工作。适应LLC式半桥。 * 较高500KHz工作频率。 
* 总计7A(IR1166为4A)的输出驱动及关断峰值电流（2A源出5A漏入）的能力。 
* 栅驱动输出电压在10.7V～14.5V。50ns关断比例延迟。 *  Vcc电压从11.3V～20V。 * 直接检测MOSFET的源漏电压。 
* 符合低于1W的 Standby能量之星的要求。 
I R1167系在开关电源二次侧**于驱动同步整流MOSFET的控制IC，且50ns关断比例延迟。 *  Vcc电压从11.3V～20V。 * 直接检测MOSFET的源漏电压。 
* 符合低于1W的 Standby能量之星的要求。 
I R1167系在开关电源二次侧**于驱动同步整流MOSFET的控制IC，且